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上一頁: 沒有內(nèi)容了
常見的四種靜電放電模式

1、人體放電模式(HBM)

當然就是人體摩擦產(chǎn)生了電荷突然碰到芯片釋放的電荷導致芯片燒毀擊穿，秋天和別人觸碰經(jīng)常觸電就是這個原因。業(yè)界對HBM的ESD標準也有跡可循(MIL-STD-883C method 3015.7，等效人體電容為100pF，等效人體電阻為1.5Kohm)，或者國際電子工業(yè)標準(EIA/JESD22-A114-A)也有規(guī)定。如果是MIL-STD-883C method 3015.7，它規(guī)定小于<2kV的則為Class-1，在2kV~4kV的為class-2，4kV~16kV的為class-3。

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2、機器放電模式(MM)

當然就是機器(如robot)移動產(chǎn)生的靜電觸碰芯片時由pin腳釋放，次標準為EIAJ-IC-121 method 20(或者標準EIA/JESD22-A115-A)，等效機器電阻為0 (因為金屬)，電容依舊為100pF。由于機器是金屬且電阻為0，所以放電時間很短，幾乎是ms或者us之間。但是更重要的問題是，由于等效電阻為0，所以電流很大，所以即使是200V的MM放電也比2kV的HBM放電的危害大。而且機器本身由于有很多導線互相會產(chǎn)生耦合作用，所以電流會隨時間變化而干擾變化。

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3、元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)

此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中，當其pin去碰觸到接地面時，IC內(nèi)部的靜電便會經(jīng)由pin自IC內(nèi)部流出來，而造成了放電的現(xiàn)象。Charged-Device Mode靜電放電可能發(fā)生的情形。IC自IC管中滑出后，帶電的IC腳接觸接到地面而形成放電現(xiàn)象。

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4、電場感應(yīng)模式(Field-Induced Model, FIM)

此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場感應(yīng)而起的，當IC因輸送帶或其他因素而經(jīng)過一電場時，其相對極性的電荷可能會自一些IC腳而排放掉，等IC通過電場之后，IC本身便累積了靜電荷，此靜電荷會以類似CDM的模式放電出來。

六大行業(yè)需求? 按需定制

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十年以上ESD工程師為客戶提供一對一的靜電技術(shù)支持
10年以上經(jīng)驗研發(fā)團隊、設(shè)計團隊為客戶提供整體靜電定制方案

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Six Major Industries' Demand Customization

熱門關(guān)鍵詞：除靜電離子風機? ? ?除靜電離子風棒? ? ?智能靜電監(jiān)控? ??離子風機? ? ?直流離子風機

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    靜電監(jiān)控系統(tǒng),智能離子風機,靜電系統(tǒng)規(guī)劃

    TIME

    2024-08-09
    根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對電路的損傷模式不同通常分為四種測試方式：人體放電模式(HBM: Human-Body Model)、機器放電模式(Machine Model)、元件充電模式(CDM: Charge-Device Model)、電場感應(yīng)模式(FIM: Field-Induced Model)

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